深能级瞬态谱仪

1. 温度范围：15K-450K
恒温制冷装置可以方便进行温度调控，可以进行温度扫描，确定杂质和缺陷能级位置
2. 温度稳定性：0.1K，温控精度：< 1K or 1%
电子发射率对温度变化比较灵敏，只有温度稳定且有较高精度，测量数据才能准确。
3. 测试电容：1, 30, 300, 3000pF，最佳电容灵敏度：0.01fF
大的测试电容范围可满足不同样品需求。较高的灵敏度能及时反映样品电容的瞬态变化。
4. 锁相放大器灵敏度 1 mV，相角稳定性：0.001°
当瞬态电容信号较弱时，锁相放大器的灵敏度决定着提取瞬态电容信号能力，灵敏度越高抑制噪声能力越强。相角稳定性高有助于精确提取信号。
5. 检测灵敏度：1*108 atoms/cm3
深能级瞬态谱仪的灵敏度的高低决定着该系统对杂质浓度的探测下限。

半导体的掺杂浓度、缺陷能级、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。深能级瞬态谱综合了半导体P-N结、金属-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。

半导体器件缺陷态表征

半导体器件

2元/小时