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最大加热电流0.3 A,最高烘烤温度150 ℃;容量2 cc低温热蒸发源炉,有机物蒸发设计。生长时源炉工作温度范围为15-300 ℃,钽加热灯丝,PID温控器,温度稳定性优于±0.02 K;STM 模式下可在Au(111)样品上获得清晰原子分辨率图像;
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高稳定度高分辨率探测表面原子像、局域电子态分布、电子隧道谱、单分子谱,获得低温下材料各种表面现象和磁场下材料的自旋分析。联合了先进的分子束外延薄膜生长技术与低温SPM技术。
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单晶、薄膜表面形貌,表面电子态
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最多提前预约 7 天,最少提前 10 分钟预约
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室温和液氮温度下60元/样品,液氦温度下800元/样品,超高真空制备和测试一体化